少子寿命分析仪微波反射光电导衰退法。该方法是ASTM认可的一种标准方法，可测少子寿命的范围为 到 0.25μs～1ms。测量的下限由光源的截止特性和对衰减信号的最低分辨率所决定；测量上限由测试样品的尺寸和样品的表面钝化条件所决定。使用的是美国原产进口的激光器，设备测试的稳定性好，重复度高，可以达到5%.
微波反射光电导衰减法的最大特点是可以非接触、无损地测量样品的少子寿命，受到广泛的应用.
测试功能:用于测量材料的非平衡少数载流子寿命
技术参数:
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性 能 指 标
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参 数
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概况
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可测材料
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硅
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使用范围
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硅材料测试（包括多晶硅料、硅锭、硅棒、硅块、硅片和扩散形成P-N后的太阳电池等）
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测试方法
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微波反射光导电衰退法
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测试范围
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1us-1ms
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分辨率
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1 us
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测试不重复度
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2%
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测试速度
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2s/point
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测试点直径
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2mm
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电阻率测试范围
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≧0.1Ω·cm
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测试脉冲激光参数
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激光波长
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1064nm
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激光输出能量
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200mJ
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激光脉冲半功率点全宽度
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<10ns
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机械参数
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微波源
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深:465mm
宽:230mm
高:470mm
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激光源
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深:550mm
宽:430mm
高:175mm
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工控机
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深:500mm
宽:400mm
高:170mm
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供电要求
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220VAC±10%,20A,50HZ单相电
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