PLUTO-WINETCH是面向科研及企业研发客户使用需求设计的高性价比CCP等离子体的系统。作为一个多功能系统，它通过优化的系统设计与灵活的配置方案，获得高性能CCP刻蚀工艺。该设备结构紧凑占地面积小，业的机械设计与优化的自动化操作软件使该设备操作简便、安全，且工艺稳定重复性佳。
CCP刻蚀是一种常用的微纳加工技术，应用于半导体器件制造、光学器件制造，生物芯片制造等域。其原理是利用高频交变电场产生等离子体，在等离子体的作用下将材料表面进行化学反应和物理碰撞，从而实现对材料的刻蚀。
WINETCH刻蚀系统通过电容耦合（CCP）方式产生高密度等离子体，按掩膜（例如光刻胶掩膜）图形、实现对介质材料（例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等）的选择性刻蚀。
CCP干法等离子刻蚀机WINETCH主要由以下几部分组成：反应腔室、下电 、喷淋头（上电）、射频电源、真空系统、预真空室、气路系统、控制系统与软件、配套附件等。
CCP干法等离子刻蚀机WINETCH产品特点：
-刻蚀形貌好、工艺性能优越
-高选择比、高刻蚀速率
-低拥有成本和消耗成本
CCP干法等离子刻蚀机WINETCH技术参数：
晶圆尺寸：6/8寸兼容
适用工艺：等离子体刻蚀
适用材料：SiO2，Si3N4，etc.
适用域:化合物半导体、MEMS、功率器件、科研等域