Thorlabs双波段硅/铟镓砷光电二极管DSD2
双探测芯片设计－硅置于铟镓砷之上－提供较宽的探测范围
4引脚的TO-5型封装
大有源区
Thorlabs双波段硅/铟镓砷光电二极管DSD2
Thorlabs提供具有各种有源区尺寸和封装的光电二极管(PD)标准品。分立式PIN结光电二极管包括铟镓砷(InGaAs)和硅(Si)光电二极管。锗(Ge)光电二极管基于N-on-P结构。
我们z*快的光电二极管有FDS015、FDS02和FDS025硅光电二极管。FDS015硅光电二极管的上升时间为35 ps，结电容为0.65 pF，是下面提供的所有光电二极管中速度z*快且电容z*低的光电二极管。FD11A硅光电二极管的暗电流为2 pA，是我们暗电流z*小的光电二极管。FD10D和FD05D是铟镓砷光电二极管，在900到2600 nm的范围内响应度高，能够探测的范围超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm波长。DSD2是双波段光电二极管，集成上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。
为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管和一系列兼容的光电二极管插座。请注意，下面出售的这些二极管都是未校准的，即不同批次的响应度会稍有不同；详细信息，请看响应变化标签。我们也提供已校准的光电二极管，它们的校准过程可追溯至NIST，以校正响应度差异。通过PBM42直流偏压模块可以给大多数光电二极管施加反向偏压，用于速度更快、功率g高的探测。
有关光电二极管饱和极限和本底噪声，以及Thorlabs进行的有关空间均匀性(或不同响应度)、暗电流与温度的函数关系的实验信息，请看实验观测标签。此标签也阐述了我们定义光电二极管规格的理论和方法。例如，噪声等效功率(NEP)与温度的函数关系部分提供了根据散粒噪声和热噪声确定NEP值的背景内容。在零偏压(光伏模式)的情况下，NEP只由热噪声确定，这是由光电二极管的并联电阻引起的。有关光电二极管的工作、专业术语和理论等常用信息，请看光电二极管教程标签。
探测器有源区边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，Thorlabs建议将光入射在光电二极管有源区的中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或针孔。
Thorlabs提供能够平坦化光谱的滤光片，用于改善硅光电二极管的响应均匀度。
Thorlabs双波段硅/铟镓砷光电二极管DSD2