合创鸿业向用户提供专业的的EBIC电子束感生电流电性失效分析系统。
EBIC电子束感生电流电性失效分析系统是一种基于扫描电子显微镜（SEM）的图像采集及分析系统，主要用于半导体器件及其他材料的失效及结构分析。
它通过分析电子束照射样品时在样品内产生的电流信号，以图像方式直观表征出样品特征、样品中P-N结位置、失效区域，并可以突出显示样品的非同质性区域，从而对样品进行全面分析。
EBIC原理
当扫描电镜电子束作用于半导体器件时，如果电子束穿透半导体表面，电子束电子与器件材料晶格作用将产生电子与空穴。这些电子和空穴将能较为自由地运动，但如果该位置没有电场作用，它们将很快复合湮灭（发射阴极荧光），若该位置有电场作用（如晶体管或集成电路中的pn结），这些电子与空穴在电场作用下将相互分离。故一旦在pn结的耗尽层或其附近位置产生电子空穴对，空穴将向p型侧移动，电子将向n型侧移动，这样将有一灵敏放大器可探测到的电流通过结区。该电流即为电子束感生电流（EBIC）[1～3]。由于pn结的耗尽层有很多的多余载流子，故在电场作用下的电子空穴分离会产生很大的电流值，而在其它的地方电流大小将受到扩散长度和扩散寿命的限制，故利用EBIC进行成像可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究。
EBIC电子束感生电流电性失效分析系统应用领域包括但不限于：
1）材料晶格缺陷探测分析，缺陷以黑点和黑线标识出来；
2）P-N结缺陷区域定位；
3）双极电路中导致集电极-发射极漏电电流的收集管路的探测；
4）探测额外连接或者多层掺杂；
5）确定静电放电/电过载（ESD/EOS）导致的失效位置；
6）测量减压层/耗尽层（depletion layer）宽度和少数载流子扩散长度和时间（minority carrier diffusion lengths/lifetimes）
等等。
EBIC图像对于电子-空穴的重新组合非常敏感，因此EBIC电子束感生电流电性失效分析系统能够非常便捷的对半导体材料缺陷等进行失效分析。
EBIC 信号采集系统
功能强大的硬件和软件，构成高品质的用于SEM/TEM的定量电性分析系统
和电子活动相关联的样品形貌、组成及结构图像
为透射电镜TEM和原子探针显微镜制样
高空间分辨率条件下，对TEM样品制备中的缺陷进行定位
避免在FIB电镜中使用EBIC直接获取图像时造成的校正误
制样过程中，可通过实时EBIC图像功能随时停止样品研磨
通过内置直流偏压及实时覆盖（live overlay）功能，确认设备操作模式
系统允许的高分辨率下，以图像方式直接显示样品连结缺陷
通过电子运动特征，对样品结构缺陷进行观测分析
通过图像直观显示PN结活动区域和电场区域
可获得样品掺杂区域分布图
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