ＰＩＮ－平面工艺Ｓｉ探测器采用离子注入平面工艺。与常规的金硅面垒半导体探测器相比，ＰＩＮ－平面工艺Ｓｉ探测器具有漏电流要低近两个数量级、能量分辨率更高、耐辐照性能更好、工作性能更稳定等特点。与气体探测器相比，还具有体积小、时间响应快、线性响应好、工作偏压低等优点。
灵敏面积：5mm2~706mm2
形状：正方形和圆形
耗尽层厚度：300μm 、500μm、1000μm
应用领域：带电粒子探测（正电子e+，电子e-，质子p，alpha粒子α等）
工作温度：-40℃~+45℃
耗尽电压：20-40V（300μm），55-110V（500μm），220-440V（1000μm）
结构原理：ＰIＮ－平面工艺Ｓｉ探测器结构如图1所示，两边为高掺杂的P型和N型硅，中间为本征硅。当带电粒子辐照到反偏PN结器件上，因吸收辐射能量而产生辐射电离效应，在材料中产生很多电子空穴对，电子、空穴对在器件内部电场作用下分别向 N 型和 P 型侧漂移，在P电极或N电极上将会感应出电荷，根据该电荷信号可以推算出带电粒子的强度和能量。
