化学束外延生长系统
化学束外延 （Chemical Beam Epitaxy）融合了分子束外延(MEB)和化学气相沉积(CVD)优点，可以用来生长III-V族半导体薄膜，也可以用来沉积Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜，以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超导氧化物, TiO2, Al2O3, 掺铒Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO,
ZrO2等。CBE已经显示出非常显著的优越性，例如：
1 可控多元薄膜材料的沉积和掺杂，例如GaAsInP.
2 成分梯度可控：在一个衬底上可以按照预定生长不同成分薄膜材料，从而可以快速研究成分和镀膜材料性能的关系，优化成分对性能的影响。
3 厚度梯度可控：可以按照预定的数学模型/公式，在一个衬底上生长厚度梯度薄膜，实现不同厚度对薄膜性能的影响研究，从而优化厚度对性能的影响。
4 成分和厚度高度均匀性：经过成分和厚度的优化后，可以外延生长成分和厚度高度均匀的样品（对于直径300mm的衬底，不均匀性小于2%.），从而量化生长。
5 可能的生长速率范围大：通常达到10 nm/h至10μm/h。
6 高度可重复性，即使设备已使用数年。
7 可以通过（激光、离子）等辅助方式实现3D等复杂结构薄膜生长。
详细信息请咨询我们！