高精度6″双面光刻机6″双面…

技术参数

1．曝光类型：正、反面对准单面曝光；
2．曝光面积：≥φ165mm；
3．曝光不均匀性：≤±3%；
4．曝光强度：≥10mw/cm2（365nm; 404nm; 435nm的组合紫外光）；
5．曝光分辨率：1μm；
6．曝光模式：可选择正面对准套刻曝光或反面对准套刻曝光；
7．对准范围：X、Y粗调±3mm，细调±0.3mm；Q细调±3°；
9．对准精度：正面1μm；反面3~5μm；
10．分离量；0～50μm可调；
11．接触－分离漂移：≤±0.5μm；
12．曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光。
13．找平机构：三点式自动找平。
14．显微系统：
1）正面对准采用双视场CCD立式显微镜：总放大倍数60X~400X（物镜放
大倍数1.5X～10X连续变倍），双物镜可调距离45mm～150mm，扫描范围:X±40mm ，Y±35mm；
2）反面对准采用双视场CCD卧式显微镜：总放大倍数60X、120X两种（物
镜放大倍数2X、4X两种）,双物镜可调距离25mm～70mm；
3）两种显微镜共用一套计算机图像处理系统。
15．掩模版尺寸：4″×4″、5″×5″、6″×6″、7″×7″；
16．基片尺寸：φ3″、φ4″、φ5″、φ6″；
17．基片厚度：≤5mm；
18．曝光灯功率：直流350W；
19．曝光定时：0～999.9秒可调；
20．对准方式：切斯曼对准机构。
21．曝光头转位：气动；
22. 电源：单相AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；
23．洁净空气压力：≥0.4MPa；
24．真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；
25．尺寸： 920mm（长）×680mm（宽）×1600mm（高）；
26．重量：约180Kg。

主要用途
主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和
生产。由于本机找平机构先进，找平力小，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光。

工作方式
本机采用双面对准单面曝光方式。既可以对基片的正面进行对准曝光，又可对基片的反面相对于正面对准曝光。



主要构成
主要由高精度对准工作台、双目分离视场立式显微镜、双目分离视场卧式显微镜、数字式摄像头、计算机成象记忆系统、多点光源（蝇眼）曝光头、PLC控制系统、气动系统、真空系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。

三点找平机构
高精度X、Y、Z、Q调节机构

多点光源（蝇眼）
可调光强的光栏

主要功能特点
1.适用范围广
适用于φ100mm以下(最小尺寸为5×5mm)，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。
2.分辨率高
采用高均匀性的多点光源（蝇眼）曝光头，非常理想的三点找平机构和稳定可靠的真空密着装置，使本机的曝光分辨率大为提高。
3.套刻精度高、速度快
采用版不动片动的下置式五层导轨对准方式，使导轨自重和受力方向保持一致，自动消除间隙；承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构，使本机片对版在分离接触时漂移特小，对准精度高，对准速度快，从而提高了版的复用率和产品的成品率。
4.可靠性高
采用PLC控制、进口电磁阀和按钮、独特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件，使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、维修简便。
5.特设“碎片”处理功能
解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。