一. 技术描述：
为满足纳米级电子束曝光的要求，JC Nabity的NPGS系统设计了一个纳米图形发生器和数模转换电路，并采用PC机控制。PC机通过图形发生器和数模转换电路去驱动SEM等仪器的扫描线圈，从而使电子束偏转并控制束闸的通断。通过NPGS可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台，还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件也可以新建或导入多种通用格式的曝光图形。
(一) 电子源（Electron Source）
曝照所需电子束是由既有的SEM、STEM或FIB产生的电子束（离子束）提供。
(二) 电子束扫描控制（Beam Scanning Control）
电子射出后，受数千乃至数万伏特之加速电压驱动沿显微镜中轴向下移动，并受中轴周围磁透镜（magnetic lens）作用形成聚焦电子束而对样本表面进行扫描与图案刻画。扫描方式可分为循序扫描（raster scan）与矢量扫描（vector scan）。
循序扫描是控制电子束在既定的扫描范围内进行逐点逐行的扫描，扫描的点距与行距由程式控制，而当扫描到有微影图案的区域时，电子束开启进行曝光，而当扫描到无图案区域时，电子束被阻断；矢量扫描则是直接将电子束移动到扫描范围内有图案的区域后开启电子束进行曝光，所需时间较少。
扫描过程中，电子束的开启与阻断是由电子束阻断器（beam blanker）所控制。电子束阻断器通常安装在磁透镜组上方，其功效为产生一大偏转磁场使电子束完全偏离中轴而无法到达样本。
(三) 阻剂（光阻）
阻剂（resist）是转移电子束曝照图案的媒介。阻剂通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。高能电子束的照射会改变阻剂材料的特性，再经过显影（development）后，曝照（负阻剂）或未曝照（正阻剂）的区域将会留在基材表面，显出所设计的微影图案，而后续的制程将可进一步将此图案转移到阻剂以下的基材中。
PMMA（poly-methyl methacrylate）是电子束微影中最常用的正阻剂，是由单体甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）经聚合反应而成。用在电子阻剂的PMMA 通常分子量在数万至数十万之间，受电子束照射的区域PMMA 分子量将变成数百至数千，在显影时低分子量与高分子量PMMA 溶解度的对比非常大。
负阻剂方面，多半由聚合物的单体构成。在电子束曝照的过程中会产生聚合反应形成长链或交叉链结（crosslinking）聚合物，所产生的聚合物较不易被显影液溶解因而在显影后会留在基板表面形成微影图案。目前常用的负阻剂为化学倍增式阻剂（chemically amplified resist），经电子束曝照后产生氢离子催化链结反应，具有高解析度、高感度，且抗蚀刻性高。
(四) 基本工序
电子束微影曝光技术的基本工序与光微影曝光技术相似，从上阻、曝照到显影，各步骤的参数（如温度、时间等等）均有赖于使用者视需要进行校对与调整。