产品介绍
产品特点概述
适用范围:生长大面积金刚石薄膜(4-10英寸,甚至更大)
生长速度:可高达several μm/h,甚至更高;
生长范围:可在直径100mm范围内生长、或者在直径300mm范围内生长。
生长温度:350℃-800℃;
晶粒大小:UNCD(2-5nm)、纳米晶、微米晶(几十μm)
研究及小规模生产型:
微波发生器:2.45GHz,6KW;
加热衬底:3’’-4’’ ,衬底旋转、偏压电极可选;
真空系统:vane pump / dry pump,涡轮分子泵可选
气路:CH4,H2,Ar; 可以配备6-7条气路.
控制方式:半自动或全自动;
生长速率:可达 15μm/h或更高
偏压电极或Ar Gas line必须;
整体特点:用于MEMS领域
大规模大面积生产研发型:
微波发生器:915MHz,30KW;
衬底:直径250mm后更大; 衬底旋转和加热可选.
或4个 4' 衬底, 加热和旋转每个衬底可选.
真空系统:vane pump or dry pump+TMP;
全自动控制,支持半自动和手动模式
气路:CH4,H2,Ar; 最多可配7条气路
生长速率:可达15μm/h,更高生长速率可能.
偏压可选
整体特点:专门大面积纳米晶、超纳米晶金刚石薄膜研究及生产配置;可获得4’’-10’’薄膜,可用于MEMS领域.