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1.

设备名称：

霍尔效应测试仪

2.

功能描述：

测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

3.

设备明细：

3-1

测试范围：

Si, SiGe, SiC,   GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

3-2

磁场：

3-2-1

磁场强度：

0.5T 电磁体   （0.5T 永磁体   /  1.4T   电磁体   两种磁场可选）

3-2-2

磁场类型：

电磁体

3-2-3

磁场均匀性：

磁场不均匀性＜±1 %

3-3

测试样品：

3-3-1

样品测试仓：

全封闭、带玻璃窗口

3-4

温    度：

3-4-1

温度区域：

80K ~730K、70K～730K、300K~730K  

3-4-2

温控精度：

0.1K

3-4-3

温控稳定性：

±0.1 K

3-5

电阻率范围：

10^-6~10¹³ Ohm*cm

3-6

电阻范围：

10 m Ohms~ 10G Ohms

3-7

载流子浓度：

10²~10²²cm^-3

3-8

迁移率：

10^-2~10⁹    cm²/volt*sec

3-9

输入电流：

3-9-1

电流范围：

0.1   pA~10mA

3-9-2

电流精度：

2%

3-10

输入电压：

3-10-1

电压范围：

±2.5V,最小可测到6×10^-6V

3-10-2

电压分辨率：

3×10^-7V

3-10-3

电压精度：

2%

4.

仪器优点：

4-1

采用van der Pauw法测试。

4-2

最大可测1cmX1cm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一个。

4-3

配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自动。测试数据能够方便的储存和导出。

4-4

模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统。

4-5

测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优。

4-6

在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试。