产品介绍
仪器介绍 超高分辨率的显微分析对设备有特殊的要求，以便可以得到新的信息及展现纳米世界的秘密。最新的完全可以满足这些需要。 技术参数 技术指标： 二次电子成像分辨率： 0.4nm (30kV) ；1.6nm (1kV) 加速电压： 0.5~30kV 放大倍率： 60X ~ 10,000X (低倍模式) ； 800~2,000,000X(高倍模式) 电子光学 电子枪： 冷场发射电子源 透镜系统： 3级电磁透镜系统 物镜光栏： 可变型 (4孔可选，在真空系统外进行微调，100-50-50-30um) 消像散线圈： 八极电磁线圈系统 扫描线圈： 2级电磁偏转线圈(高倍模式) ；1级电磁线圈(低倍模式)电子束遮挡： 静电型(与扫描线圈同步) 样品台： 侧插式测角台 样品台移动： X：±3.5mm, Y: ±2.0mm; Z: ±0.3mm, T: ±40° 样品尺寸： 最大5.0mmx9.5mmx3.5mmH (Bulk) 最大2.0mmx6.0mmx5.0mmH (Cross-section) 电子图像移动： ±5um (样品高度=0mm) 检测器： 二次电子检测器 上部背散射电子检测器(可选) YAG型背散射电子检测器(可选) BF/DF 双STEM检测器(可选) STEM检测器(可选) X射线能谱仪 (可选) 显示系统： 操作系统：Windows XP 显示器：19LCD 图像显示模式：1,280x960 (全屏模式) 640x480 及320x320 (选区显示) 640x480x2 (双图像显示)www.5117dxy.com 主要特点 1. 新型的物镜设计可以使其达到世界最高分辨率：0.4nm (30kV)。改进后的显示系统及GUI的设计使得超高分辨的显微分析变得简单易行。 2. 保证分辨率为0.4nm (30kV), 1.6nm (1kV) 3. Hitachi的专利技术ExB可以让操作者优化图像中SE和BSE信号的比例 4. 新开发的BF/DF双STEM检测器可以同时显示BF像及DF像。在DF STEM模式中还可以改变检测角度。(可选) 5. 电子光学系统的改进可以不用改变样品位置而同时进行EDS分析及形貌观察。 6. 可以使用与FIB兼容的样品杆。
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