CVD(G)系列真空高温管式炉专门设计用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器(MLCC)气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温,国产优质硅钼棒加热,优质刚玉管炉膛, 系统可预抽真空,气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制,设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点,是理想的科研设备。
一、 技术指标:
设 备 型 号
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NT-CVD(G)-08/50/1
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温区最高温度
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1650℃;(最长恒温时间:≥10小时);常用温度:1600℃ (最长恒温时间:≥100小时)
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加热有效容积
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Φ72(内经)×500mm;恒温区尺寸:Φ72(内经)×250mm
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炉管实际尺寸
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Φ80(外径)×1400mm (国产优质刚玉管)
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炉 膛 材 料
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氧化铝纤维制品
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控制温区点数
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1个,1支B分度热偶
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设备温场温差
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±1℃ ,日本岛电进口40段程序控制仪表(1只)
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加 热 元 件
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优质硅钼棒
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最大加热功率
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12Kw
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保 温 功 率
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5kw
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最大升温速率
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3℃∽10℃/min;
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最大降温速率
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3℃∽7℃/min
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温度均匀性
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±3℃(有效范围:Φ72×250mm)
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气路配件材料
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气路配件材料,端头不锈钢发兰密封,
一路气体采用浮子流量计控制,
所有管道和阀门采用不锈钢元件
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极 限 真 空
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≤10Pa(常温) ,一级机械泵(配电磁阀)。
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压升率
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≤5Pa/h
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1000时可抽真空,能通保护氮气
外型参考尺寸 1250(L)×1650(H)×650(D)mm
输入动力电源 单相电源,50HZ ,220V±10%;10KW
炉体表面温升 ≤45℃