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产品介绍

供应S-系列硅溶胶外观件硅溶胶微电子光学金属以及蓝宝石抛光液

大粒径硅溶胶具有优异的粘结性，吸附性及稳定性，使其在众多领域中得到应用。

在半导体芯片、集成芯片的生产过程中，所有的电路器件都是要通过光刻工艺将电路布局结构印制在硅晶圆上的。光刻工艺完成的质量非常依赖硅晶圆的表面特性，硅晶圆表面的高低起伏、杂质污染都会造成光刻工艺的缺陷，甚至造成产品报废，为了产品质量，化学机械抛光CMP成为了主流的抛光方法。而抛光液是完成CMP的主要力量

  铬离子抛光、铜离子抛光和二氧化硅胶体抛光这三种抛光方法都能投入使用，但终获得行业地位的，只有二氧化硅胶体抛光，具体原因如下：

1、二氧化硅的硬度与硅的硬度相近

2、粒度细大约为90-110纳米

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因而抛光表面的损耗层极微小，能满足大规模及大规模集成电路的要求，因此，它已基本取代了另外的两种化学机械抛光方法。

凭借这些，二氧化硅胶体抛光能对单晶硅片进行抛光，还能对层间介质、绝缘体、导体、镶嵌金属、多晶硅、硅氧化物沟道等材料进行平面化处理。在薄膜存贮磁盘、微电子机械系统陶瓷、磁头、机械模具、精密阀门、光学玻璃、金属材料等表面加工领域，也多有应用。，二氧化硅胶体抛光已成为应用全局平面化技术，前景可谓一片大好。

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例如将大粒径硅溶胶作为单晶硅抛光剂，效果好，而且抛光速度快，硅溶胶研磨料硬度适中，用于CMP时划伤少分散均匀，，而且可长期稳定存放且易清洗，已逐渐成为CMP平坦化加工的纳米研磨料，但小粒径硅溶胶用于介质时，抛光速率较低，无法满足率要求，因此为实现高质量率CMP加工，急需制备大粒径，低分散度的硅溶胶，虽然硅溶胶具有较多优良性能，但其稳定性、粒径较难控制，随着化学抛光等领域的发展，大粒径硅溶胶的需求量也在增大，江门惠和永晟也一直在积极研究大粒径硅溶胶的制备工艺，现已实现大粒径高浓度硅溶胶的大规模工业化生产，化学抛光领域欢迎咨询。

硅溶胶抛光液，它采用纳米级工艺，可以达到稳定的抛光效果，让工件呈现出高平坦、镜面化效果，而且不会划伤工件，硅溶胶抛光液采用的是纳米级工艺，主要粒径在10-150纳米，适用于各种材质工件的CMP表面镜面处理，它可以应用于半导体晶圆、光学玻璃，、3C电子金属元件、蓝宝石衬底、LED显示屏等高精密元件的平面研磨抛光。硅溶胶抛光液悬浮性好，高固含量、分散性好、易摇散且不团聚、化学性能稳定、抛光率高，能缩短工时，提高生产效率。